How China’s award-winning EUV breakthrough sidesteps US chip ban

中国科学家正在探索新的极紫外光（EUV）光刻新方法。该技术有望推动大规模生产先进半导体芯片的发展，避免受到美国实施的严格制裁。

近日，哈尔滨理工大学的一项研究项目在哈尔省创新成果转化竞赛中斩获首奖。团队采用了与西方方法完全不同的技术方法来实现EU光激光源的产生。该研究由哈尔滨理工大学航空航天工程学院教授赵永鹏带队。

此项目的官方网站报告显示，该项目的“放电等离子体极紫外光刻光源”具有高能量转换效率、低成本、紧凑设计、较低的技术难度等优点。该技术可生产中心波长为13.5纳米的极紫外光，满足了照相光刻市场紧急需求的EU光源需求。在半导体行业中，光刻机是制造中最复杂和难以生产的机器之一。

via SCMP Full Text Feed