‘Changing lanes’: China heralds fastest-ever chip technology – without silicon
北京大学的研究团队声称,他们已经突破了芯片性能的极限,并证明中国可以通过使用新材料在半导体竞赛中“换道超车”,完全绕过基于硅的障碍。据称,他们自主研发的二维晶体管的运行速度比英特尔和台积电最先进的3纳米硅芯片快40%,同时能耗降低10%。
该研究团队负责人彭海琳教授表示,如果基于现有材料的芯片创新被认为是“捷径”,那么他们开发的基于二维材料的晶体管就类似于“换道超车”。由于目前的制裁,这条道路是出于无奈的选择,但也迫使研究人员从新的角度寻找解决方案。他们的研究表明,在相同的工作条件下,他们研发的基于铋的晶体管性能优于英特尔、台积电、三星和比利时微电子研究中心最先进的同类产品。
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北京大学的研究团队声称,他们已经突破了芯片性能的极限,并证明中国可以通过使用新材料在半导体竞赛中“换道超车”,完全绕过基于硅的障碍。据称,他们自主研发的二维晶体管的运行速度比英特尔和台积电最先进的3纳米硅芯片快40%,同时能耗降低10%。
该研究团队负责人彭海琳教授表示,如果基于现有材料的芯片创新被认为是“捷径”,那么他们开发的基于二维材料的晶体管就类似于“换道超车”。由于目前的制裁,这条道路是出于无奈的选择,但也迫使研究人员从新的角度寻找解决方案。他们的研究表明,在相同的工作条件下,他们研发的基于铋的晶体管性能优于英特尔、台积电、三星和比利时微电子研究中心最先进的同类产品。
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