Largest gallium wafer at lowest cost: how China leads on next-gen semiconductor tech | 成本最低尺寸最大的镓晶圆：中国如何引领下一代半导体技术
中国研究人员宣布在下一代半导体技术上取得突破，成功制造出全球最大的8英寸氮极性氮化镓（GaN）晶圆。这一成果被视为半导体行业的颠覆者，有望将生产成本降低40%，预计将加速该技术在全球卫星通信和电动汽车领域的应用。氮化镓因其卓越的物理特性，被誉为旗舰级第三代化合物半导体，正在彻底改变包括5G/6G网络、卫星通信、自动驾驶汽车和雷达系统等高频、高功率应用。
氮化镓的潜力核心在于其晶体极性。虽然存在氮极性（N-polar）和镓极性（Ga-polar）氮化镓，但氮极性变体表现出更优越的性能。此前，由于严格的生长要求和复杂的工艺，全球氮极性氮化镓晶圆的生产一直受限于小批量2到4英寸的晶圆，且成本高昂。3月22日，湖北武汉的JFS实验室研究团队宣布成功制造出全球首个8英寸硅基氮极性绝缘体上氮化镓（GaNOI）晶圆。这项创新打破了国外的技术垄断，在将器件击穿电压提高到2000V的同时，降低了40%的晶圆成本。
via SCMP Full Text Feed
中国研究人员宣布在下一代半导体技术上取得突破，成功制造出全球最大的8英寸氮极性氮化镓（GaN）晶圆。这一成果被视为半导体行业的颠覆者，有望将生产成本降低40%，预计将加速该技术在全球卫星通信和电动汽车领域的应用。氮化镓因其卓越的物理特性，被誉为旗舰级第三代化合物半导体，正在彻底改变包括5G/6G网络、卫星通信、自动驾驶汽车和雷达系统等高频、高功率应用。
氮化镓的潜力核心在于其晶体极性。虽然存在氮极性（N-polar）和镓极性（Ga-polar）氮化镓，但氮极性变体表现出更优越的性能。此前，由于严格的生长要求和复杂的工艺，全球氮极性氮化镓晶圆的生产一直受限于小批量2到4英寸的晶圆，且成本高昂。3月22日，湖北武汉的JFS实验室研究团队宣布成功制造出全球首个8英寸硅基氮极性绝缘体上氮化镓（GaNOI）晶圆。这项创新打破了国外的技术垄断，在将器件击穿电压提高到2000V的同时，降低了40%的晶圆成本。
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