China’s new chip stores data with a single electron, breaking AI memory bottleneck | 中国新芯片用单个电子存储数据，突破AI内存瓶颈

复旦大学上海团队在《Science》发表最新研究，称已将DRAM存储一个比特所需的电子数从约20万个降到理论极限的1个电子。 对于三星和SK海力士等公司目前最先进的动态随机存取存储器来说，约20万个电子只是为了保证数据可靠，避免“1”或“0”在噪声中消失；而复旦大学微电子学教授周鹏团队则把这一数字压缩到了理论上的最低水平。

这项成果发表于7月16日，显示出存储器件在极限微缩和低功耗方向上的新突破。报道指出，这一进展的核心意义在于，它把传统DRAM依赖大量电荷维持稳定状态的模式，推进到只需单电子即可存储信息的层级，体现出存储技术在物理极限附近的重大进展。

via South China Morning Post