China’s CXMT defends bet on risky new DRAM architecture to circumvent US chip curbs | 中国长鑫存储力挺押注高风险新型DRAM架构，以绕开美国芯片限制
中国存储芯片巨头长鑫存储（CXMT）计划在年底前向客户送样其首款基于4F²架构的服务器级DRAM产品，以此绕过美国出口管制带来的技术封锁。由于华盛顿的限制措施禁止中国芯片制造商从荷兰ASML购买极紫外（EUV）光刻设备，长鑫无法采用全球同行缩小存储电路的标准路径，4F²架构因此被视为在不依赖EUV设备的情况下提升存储密度的替代方案。不过，该公司尚未公布量产时间表，商业化将取决于客户验证和市场需求。
4F²架构相比传统DRAM的6F²布局，可在相同制程下将存储单元面积缩小约三分之一，从而在同样面积内容纳更多数据。但这一架构需要更多制造工序，并面临良率下降的风险，可能削弱其成本优势。美国存储巨头美光对此持怀疑态度，其总裁兼首席技术官Scott DeBoer表示，在较旧制程上生产4F²芯片“更复杂、成本更高”，并称美光研究该架构已超过二十年，发现其存在物理极限。美光计划继续改进现有设计，同时开发三维DRAM。
韩国厂商则持观望态度：三星电子今年2月曾展示一款16Gb的4F²测试芯片；SK海力士表示其优先事项仍是利用先进光刻技术延续6F²路线，待市场条件和技术成熟时再转向4F²或3D DRAM。长鑫对此回应称，制造选择反映了各公司在技术经验、产线、专利和投资计划上的差异。财务方面，长鑫第三季度营收达1187.1亿元人民币，同比增长613%，利润达540亿元；今年前九个月研发投入110.7亿元，同比增长73%。
via South China Morning Post
中国存储芯片巨头长鑫存储（CXMT）计划在年底前向客户送样其首款基于4F²架构的服务器级DRAM产品，以此绕过美国出口管制带来的技术封锁。由于华盛顿的限制措施禁止中国芯片制造商从荷兰ASML购买极紫外（EUV）光刻设备，长鑫无法采用全球同行缩小存储电路的标准路径，4F²架构因此被视为在不依赖EUV设备的情况下提升存储密度的替代方案。不过，该公司尚未公布量产时间表，商业化将取决于客户验证和市场需求。
4F²架构相比传统DRAM的6F²布局，可在相同制程下将存储单元面积缩小约三分之一，从而在同样面积内容纳更多数据。但这一架构需要更多制造工序，并面临良率下降的风险，可能削弱其成本优势。美国存储巨头美光对此持怀疑态度，其总裁兼首席技术官Scott DeBoer表示，在较旧制程上生产4F²芯片“更复杂、成本更高”，并称美光研究该架构已超过二十年，发现其存在物理极限。美光计划继续改进现有设计，同时开发三维DRAM。
韩国厂商则持观望态度：三星电子今年2月曾展示一款16Gb的4F²测试芯片；SK海力士表示其优先事项仍是利用先进光刻技术延续6F²路线，待市场条件和技术成熟时再转向4F²或3D DRAM。长鑫对此回应称，制造选择反映了各公司在技术经验、产线、专利和投资计划上的差异。财务方面，长鑫第三季度营收达1187.1亿元人民币，同比增长613%，利润达540亿元；今年前九个月研发投入110.7亿元，同比增长73%。
via South China Morning Post
